Jesteś tutaj

UHV / STM

Ultra-wysokopróżniowy (Ultra-High Vacuum – UHV) dwukomorowy, wielopróbnikowy układ produkcji Omicron Nanotechnology do preparatyki i szczegółowej analizy cienkich warstw oraz nanostruktur powierzchniowych

Główne metody badawcze

  • Spektroskopia fotoelektronów (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis – ESCA) umożliwiająca określanie składu chemicznego próbek
  • Mikroskopia sond skanujących (Scanning Probe Microscopy – SPM) do pomiarów i obrazowania różnorodnych własności powierzchni z rozdzielczością atomową

Cechy ogólne

  • Dwie połączone komory: pierwsza zawiera urządzenia do preparatyki powierzchni oraz spektroskopię fotoelektronów, druga dedykowana pod mikroskopię sond skanujących
  • Wwieloetapowy system pompowania umożliwiający otrzymanie ciśnienia rzędu 10-11 mbar w obu komorach
  • Komora śluzy do szybkiej wymiany próbek oraz sond SPM
  • Manipulator Omniax o 5 stopniach swobody, posiadający stację grzewczą oraz chłodzącą do preparatyki i transferu próbek oraz pomiarów ESCA
 

Zmienno-temperaturowy mikroskop skanujący (VT SPM)

  • Skaningowa Mikroskopia i Spektroskopia Tunelowa (Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy – STM/S) z możliwością operowania w zakresie prądów o wartościach poniżej pA
  • Mikroskopia Sił Atomowych (Atomic Force Microscopy – AFM) bazująca na odbiciu wiązki laserowej od dźwigni skanującej, do pomiarów kontaktowych i bezkontaktowych; różne mody pracy, w zależności od rodzaju używanej dźwigni (np. wysokorozdzielczy AFM, Electrostatic Force Microscopy – EFM,  Scanning Kelvin Probe Force Microscopy – SKPFM oraz Magnetic Force Microscopy – MFM)
  • Sensor Q-Plus łączący zalety AFM i STM
  • Układ sterujący Matrix
  • Kontrola temperatury w zakresie 30 ÷ 500 K
  • Narzędzie do preparatyki ostrzy STM in-situ

Spektroskopia Fotoelektronów

  • Hemisferyczny analizator energii SPHERA II
  • Dwuanodowe źródło promieniowania X (DAR400) oraz źródło monochromatycznego promieniowania X (XM1000) do pomiarów XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
  • Próżniowe źródło promieniowania UV o wysokiej intensywności (HIS13) do pomiarów UPS (Ultra-violet Photoelectron Spectroscopy)
  • 0.1 ÷ 5 keV działo elektronowe o rozmiarze plamki 300 ?m (EKF 300) do pomiarów AES (Auger Electron Spectroscopy)
  • Działo elektronowe CN10 do neutralizacji ładunku

Komora preparatyki

  • Pojedyncze oraz potrójne źródło naparowania z wykorzystaniem wiązki elektronów (EFM 3 & EFM 3T), komórka efuzyjna dla materiałów organicznych (OME40) oraz niskotemperaturowa komórka efuzyjna (NTEZ) dla czystego osadzania różnego rodzaju atomów i molekuł; możliwość kontrolowanego nanoszenia warstw sub-monoatomowych oraz wielowarstw przy wykorzystaniu miernika grubości warstwy (Film Thickness Monitor – FTM) 
  • Źródło atomowego wodoru (EFM-H) do pasywacji oraz źródło atomowego tlenu (OBS40) do kontrolowanej oksydacji powierzchni próbek
  • Źródło rozpylania jonowego (ISE5) do czyszczenia próbek, profilowania głębokościowego (z użyciem ESCA) oraz kontrolowanego indukowania defektów
  • Kwadrupolowy analizator masowy (Quad 300) do analizy gazów resztkowych (czystości próżni i poszukiwania nacieków)
     

Profil powierzchni Si (111) 7x7 wzdłuz zaznaczonej linii
 

Powierzchnia Si (111) 7x7 zobrazowana przy dwóch różnych polaryzacjach napięcia między ostrzem a próbką.

 

STM. Powierzchnia Si (111), rekonstrukcja 7x7.
Uzyskana poprzez obróbkę wysokotemperaturową w warunkach ultrawysokopróżniowych (tzw. flash). Rozdzielczość atomowa.

Kontakt | Baza kontaktów | RSS | Login
© 2017 CENTRUM NANOBIOMEDYCZNE UAM | ul. Umultowska 85, PL61614 Poznań, Poland | tel.+48 61 829 67 04.

Developed by drupalninja.pl