Jesteś tutaj

CleanRoom


Wysokopróżniowa maszyna do naparowywania materiałów

  • Dwie komory wzrostu do osadzania warstw metalicznych magnetycznych/niemagnetycznych z systemem 
     load-lock
  • System próżniowy z pompami kriogenicznymi (< 5x10-9 mbar)
  • Działo elektronowe (Telemark, 6 tygli x 7 cm3)
  • Działo jonowe (Tectra) do czyszczenia podłoży przed naparowaniem
  • Manipulator UHV 
    • średnica płytek: 0,2” – 4” (różne kształty)
    • kąt nachylenia podłoże-źródło par: +/- 50°
    • regulowana szybkość obrotu podłoża
    • rozdzielczość obrotu nośnika: 1°
  • Miernik grubości i układ pomiaru szybkości naparowywania
 

Urządzenie do centrowania masek wraz z depozytorem rotacyjnym

  • Tryby naświetlania: bez maski, górne centrowane, zbliżeniowe (z regulacją szczeliny: 1-300 µm), 
    „soft-contact” (z regulacją ciśnienia: 0.1-40 N), „hard contact” (z regulacją ciśnienia), „vacuum contact” (z regulacją poziomu próżni)
  • Stolik do centrowania z precyzyjnym regulatorem
  • Mikroskop cyfrowy (podgląd od góry)
    • dwupolowy, manualny
    • kamera CCD o wysokiej zdolności rozdzielczej
    • 2 obiektywy (10x)
    • cyfrowy zoom (4x)
  •  System optyczny, źródło światła (NUV)
  •  Uchwyty do podłoży (Ø 100, 150 mm) i masek (Ø 125, 175 mm)
 

Reaktor do osadzania warstw o grubości atomowej

  • Komora reakcyjna „top-flow” (jednolity, pionowy przepływ gazu ortogonalny do podłoża), zintegrowana w komorze próżniowej, podgrzewana
  • Źródła prekursorów
    • dla prekursorów gazowych
    • dla prekursorów cieczowych
    • dla prekursorów ciecz/gaz podgrzewane do 300°C
  • Maksymalna temperatura procesu: 500°C
  • Wymiar wafli: do 200 mm x 10 mm
  • Podłoża 3D: do 150 mm x 120 mm
  • Gazy nośne: azot, argon
  • System załadowczy load-lock
 

Maszyna do trawienia jonowego

  • Układ RIE do obróbki jonowej podłoży krzemowych o średnicy do 200 mm
  • Komora załadowcza z systemem transferu próbek
  • Zmiennoprądowe (RF) źródło plazmy z górna i dolną elektrodą w konfiguracji równoległej. Generator plazmy: częstotliwość 13.56 MHz, 600 W
  • Linie gazowe: Ar, O2, SF6, CHF3
  • System pompowy: pompa próżni wstępnej, pompa turbomolekularna
  • Układ do prowadzenia procesu skierowanego od góry w dół, wykorzystującego gazy robocze zawierające tlen, fluor lub chlor
  • Układ sterowania z procedurami trawienia materiałów zawierających krzem (Si, SiO2, Si3O4)
  • Jednorodność procesu trawienia: < +/- 3% na 100 mm podłożu
  • Powtarzalność procesu: < +/- 3% na 200 mm podłożu
  • Szybkość trawienia SiO2 > 0.1 µm/min
 

Kontakt | Baza kontaktów | RSS | Login
© 2017 CENTRUM NANOBIOMEDYCZNE UAM | ul. Umultowska 85, PL61614 Poznań, Poland | tel.+48 61 829 67 04.

Developed by drupalninja.pl